Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: ALL BRAND
Numéro de modèle: IRFP260N
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 100 pièces
Prix: $2.00/pieces >=100 pieces
Détails d'emballage: Bobine ou tube
Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces par jour
Le type: |
MOSFET, transistor à effet de champ, puces IC |
Température de fonctionnement: |
C |
Type de montage: |
À travers le trou |
Définition: |
c5200 a1943 |
D/C: |
N/A |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application: |
finalité générale |
Type de fournisseur: |
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre |
Les médias disponibles: |
Fiche de données, photo, modèles EDA/CAD, autres |
Marque: |
Transistor de transistor MOSFET |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
UN |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
V |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
La norme |
Courant - Coupe du collecteur (maximum): |
a) |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
La norme |
Puissance maximale: |
W |
Fréquence - Transition: |
Hertz |
Emballage / boîtier: |
À 247/à 3p |
Résistance - Base (R1): |
La norme |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
La norme |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
La norme |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
La norme |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
La norme |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
La norme |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
La norme |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
La norme |
Fréquence: |
La norme |
Rating de courant (ampères): |
a) |
Figure du bruit: |
La norme |
Puissance - Sortie: |
W |
Voltage - Nominal: |
V |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
La norme |
Vgs (maximum): |
La norme |
Type IGBT: |
La norme |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
La norme |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
La norme |
Entrée: |
La norme |
Thermistors NTC: |
La norme |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
La norme |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
La norme |
Drain actuel (identification) - maximum: |
La norme |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
La norme |
Résistance - le RDS (dessus): |
La norme |
Voltage: |
La norme |
Voltage - sortie: |
La norme |
Tension - compensation (VT): |
La norme |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
La norme |
Actuel - vallée (iv): |
La norme |
Actuel - crête: |
La norme |
Applications: |
La norme |
Type de transistor: |
une puissance de sortie de l'unité d'alimentation supérieure à 50 W |
Nom du produit: |
une puissance de sortie supérieure à 50 W; |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
Le type: |
MOSFET, transistor à effet de champ, puces IC |
Température de fonctionnement: |
C |
Type de montage: |
À travers le trou |
Définition: |
c5200 a1943 |
D/C: |
N/A |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application: |
finalité générale |
Type de fournisseur: |
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre |
Les médias disponibles: |
Fiche de données, photo, modèles EDA/CAD, autres |
Marque: |
Transistor de transistor MOSFET |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
UN |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
V |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
La norme |
Courant - Coupe du collecteur (maximum): |
a) |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
La norme |
Puissance maximale: |
W |
Fréquence - Transition: |
Hertz |
Emballage / boîtier: |
À 247/à 3p |
Résistance - Base (R1): |
La norme |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
La norme |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
La norme |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
La norme |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
La norme |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
La norme |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
La norme |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
La norme |
Fréquence: |
La norme |
Rating de courant (ampères): |
a) |
Figure du bruit: |
La norme |
Puissance - Sortie: |
W |
Voltage - Nominal: |
V |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
La norme |
Vgs (maximum): |
La norme |
Type IGBT: |
La norme |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
La norme |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
La norme |
Entrée: |
La norme |
Thermistors NTC: |
La norme |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
La norme |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
La norme |
Drain actuel (identification) - maximum: |
La norme |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
La norme |
Résistance - le RDS (dessus): |
La norme |
Voltage: |
La norme |
Voltage - sortie: |
La norme |
Tension - compensation (VT): |
La norme |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
La norme |
Actuel - vallée (iv): |
La norme |
Actuel - crête: |
La norme |
Applications: |
La norme |
Type de transistor: |
une puissance de sortie de l'unité d'alimentation supérieure à 50 W |
Nom du produit: |
une puissance de sortie supérieure à 50 W; |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
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