Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: ALL BRAND
Numéro de modèle: IRFP260N
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 100 pièces
Prix: $2.00/pieces >=100 pieces
Détails d'emballage: Bobine ou tube
Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux/morceaux par Jour
type: |
MOSFET, transistor à effet de champ, puces IC |
Température de fonctionnement: |
c |
Type de montage: |
À travers le trou |
Définition: |
c5200 a1943 |
D/C: |
NON-DÉTERMINÉ |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
Usage universel |
Type de fournisseur: |
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre |
Médias disponibles: |
la fiche technique, la photo, EDA/CAD modèle, autre |
Marque: |
Transistor de transistor MOSFET |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
UN |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
V |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
La norme |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
UN |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
La norme |
Puissance - maximum: |
W |
Fréquence - transition: |
Hertz |
Emballage / boîtier: |
À 247/à 3p |
Résistance - base (R1): |
La norme |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
La norme |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
La norme |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
La norme |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
La norme |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
La norme |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
La norme |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
La norme |
Fréquence: |
La norme |
Estimation actuelle (ampères): |
UN |
Chiffre de bruit: |
La norme |
Puissance de sortie: |
W |
Tension - évaluée: |
V |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
La norme |
Vgs (maximum): |
La norme |
Type d'IGBT: |
La norme |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
La norme |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
La norme |
Résultats de l'analyse: |
La norme |
Thermistance de NTC: |
La norme |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
La norme |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
La norme |
Drain actuel (identification) - maximum: |
La norme |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
La norme |
Résistance - le RDS (dessus): |
La norme |
Voltage: |
La norme |
Tension - sortie: |
La norme |
Tension - compensation (VT): |
La norme |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
La norme |
Actuel - vallée (iv): |
La norme |
Actuel - crête: |
La norme |
Applications: |
La norme |
Type de transistor: |
une puissance de sortie de l'unité d'alimentation supérieure à 50 W |
Nom du produit: |
une puissance de sortie supérieure à 50 W; |
Port: |
la ville de Shenzhen |
type: |
MOSFET, transistor à effet de champ, puces IC |
Température de fonctionnement: |
c |
Type de montage: |
À travers le trou |
Définition: |
c5200 a1943 |
D/C: |
NON-DÉTERMINÉ |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
Usage universel |
Type de fournisseur: |
Fabricant original, ODM, agence, détaillant, autre |
Médias disponibles: |
la fiche technique, la photo, EDA/CAD modèle, autre |
Marque: |
Transistor de transistor MOSFET |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
UN |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
V |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
La norme |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
UN |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
La norme |
Puissance - maximum: |
W |
Fréquence - transition: |
Hertz |
Emballage / boîtier: |
À 247/à 3p |
Résistance - base (R1): |
La norme |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
La norme |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
La norme |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
La norme |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
La norme |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
La norme |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
La norme |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
La norme |
Fréquence: |
La norme |
Estimation actuelle (ampères): |
UN |
Chiffre de bruit: |
La norme |
Puissance de sortie: |
W |
Tension - évaluée: |
V |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
La norme |
Vgs (maximum): |
La norme |
Type d'IGBT: |
La norme |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
La norme |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
La norme |
Résultats de l'analyse: |
La norme |
Thermistance de NTC: |
La norme |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
La norme |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
La norme |
Drain actuel (identification) - maximum: |
La norme |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
La norme |
Résistance - le RDS (dessus): |
La norme |
Voltage: |
La norme |
Tension - sortie: |
La norme |
Tension - compensation (VT): |
La norme |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
La norme |
Actuel - vallée (iv): |
La norme |
Actuel - crête: |
La norme |
Applications: |
La norme |
Type de transistor: |
une puissance de sortie de l'unité d'alimentation supérieure à 50 W |
Nom du produit: |
une puissance de sortie supérieure à 50 W; |
Port: |
la ville de Shenzhen |
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