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IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF

Détails de produit

Lieu d'origine: Les États membres

Nom de marque: Original Brand

Numéro de modèle: IRFB4110PBF

Conditions de paiement et d'expédition

Prix: $0.60/pieces 1-99 pieces

Détails d'emballage: La norme

Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux/morceaux par Semaine

Obtenez le meilleur prix
Mettre en évidence:
type:
Transistors IGBT, transistors à triode, puces IC
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ), niveau
Type de montage:
À travers le trou
Définition:
nulle
D/C:
Dans-actions
Type de colis:
Paquet original
Application du projet:
Produits électroniques standard
Type de fournisseur:
Autres
Correspondance:
nulle
Médias disponibles:
Autres
Marque:
MOSFET N-CH 100V 120A à 220AB
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
nulle
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
nulle
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
nulle
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
nulle
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
nulle
Puissance - maximum:
nulle
Fréquence - transition:
nulle
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Résistance - base (R1):
nulle
Résistance - base d'émetteur (R2):
nulle
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
nulle
Vidangez à la tension de source (Vdss):
100 V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:
120A (TC)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
4.5mOhm @ 75A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
4V @ 250A
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
210 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:
9620pF @ 50V
Fréquence:
nulle
Estimation actuelle (ampères):
nulle
Chiffre de bruit:
nulle
Puissance de sortie:
nulle
Tension - évaluée:
nulle
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (maximum):
±20V
Type d'IGBT:
nulle
Configuration:
nulle
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
nulle
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
nulle
Résultats de l'analyse:
nulle
Thermistance de NTC:
nulle
Tension - panne (V (BR) GSS):
nulle
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
nulle
Drain actuel (identification) - maximum:
nulle
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
nulle
Résistance - le RDS (dessus):
nulle
Voltage:
nulle
Tension - sortie:
nulle
Tension - compensation (VT):
nulle
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao):
nulle
Actuel - vallée (iv):
nulle
Actuel - crête:
nulle
Applications:
nulle
Type de transistor:
un débit de sortie de sortie de l'appareil,
condition:
Original 100%
Qualité:
Des produits de haute qualité
ROHS:
Je suis désolé.
Paiement:
TTT \ Western Union \ plus
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Plus
Emballage:
Emballage de support
Nombre de pièces:
1 pièces
Prix:
pls contact us
Port:
la ville de Shenzhen
type:
Transistors IGBT, transistors à triode, puces IC
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ), niveau
Type de montage:
À travers le trou
Définition:
nulle
D/C:
Dans-actions
Type de colis:
Paquet original
Application du projet:
Produits électroniques standard
Type de fournisseur:
Autres
Correspondance:
nulle
Médias disponibles:
Autres
Marque:
MOSFET N-CH 100V 120A à 220AB
Actuel - collecteur (IC) (maximum):
nulle
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):
nulle
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC:
nulle
Actuel - coupure de collecteur (maximum):
nulle
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce:
nulle
Puissance - maximum:
nulle
Fréquence - transition:
nulle
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Résistance - base (R1):
nulle
Résistance - base d'émetteur (R2):
nulle
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
nulle
Vidangez à la tension de source (Vdss):
100 V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C:
120A (TC)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:
4.5mOhm @ 75A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @:
4V @ 250A
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:
210 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:
9620pF @ 50V
Fréquence:
nulle
Estimation actuelle (ampères):
nulle
Chiffre de bruit:
nulle
Puissance de sortie:
nulle
Tension - évaluée:
nulle
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (maximum):
±20V
Type d'IGBT:
nulle
Configuration:
nulle
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:
nulle
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
nulle
Résultats de l'analyse:
nulle
Thermistance de NTC:
nulle
Tension - panne (V (BR) GSS):
nulle
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
nulle
Drain actuel (identification) - maximum:
nulle
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
nulle
Résistance - le RDS (dessus):
nulle
Voltage:
nulle
Tension - sortie:
nulle
Tension - compensation (VT):
nulle
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao):
nulle
Actuel - vallée (iv):
nulle
Actuel - crête:
nulle
Applications:
nulle
Type de transistor:
un débit de sortie de sortie de l'appareil,
condition:
Original 100%
Qualité:
Des produits de haute qualité
ROHS:
Je suis désolé.
Paiement:
TTT \ Western Union \ plus
Expédition par:
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\Plus
Emballage:
Emballage de support
Nombre de pièces:
1 pièces
Prix:
pls contact us
Port:
la ville de Shenzhen
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF

La société Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd. a été créée pour fournir des services d'assistance technique à la Chine.

Bienvenue dans notre entreprise! Nous sommes votre fournisseur tout-en-un pour les composants électroniques ((BOM). Notre expertise réside dans la fourniture d'une grande variété de composants électroniques pour répondre à vos besoins divers.Nous offrons:- composants passifs: résistances, condensateurs, inducteurs, connecteurs - composants électromécaniques: commutateurs,relais, actionneurs de capteurs - Appareils électriques: régulateurs de tension, convertisseurs de puissance, gestion de batterie - Optoélectronique: LED, lasers, photodiodes, capteurs optiques - RF et composants sans fil: modules RF,antennes, communication sans fil - Capteurs: capteurs de température, capteurs de mouvement, capteurs d'environnement.
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF 0

Type: Circuits intégrés Composants électroniques
DC22+
MOQ: 1 pièces
Paquet: Standard
La gamme de puces fonctionnelles est large et couvre de nombreux domaines d'application différents, tels que les communications, le traitement d'image, le contrôle des capteurs, le traitement audio, la gestion de l'énergie, etc.
Les puces que nous avons



Circuits intégrés Composants électroniques
IC de comparaison
Codage-décodage
Interfaces tactiles
IC de référence de tension
Amplificateur
Réinitialiser le détecteur IC
IC d'amplificateur de puissance
IC de traitement infrarouge
Puce d'interface
Une puce Bluetooth
Boost et Buck Chips
Les puces de base temporelles
Les puces de communication de l'horloge
IC émetteur-récepteur
IC RF sans fil
Résistant à puce
Puce de stockage 2
Puce Ethernet
Circuits intégrés Composants électroniques
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF 1
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF 2
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF 3
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF 4
IRFB4110PBF IC Nouveau transistor original IRFB4110 MOSFET de puissance à 220 IRFB4110PBF 5