Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: Mje13003
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 10 pièces
Prix: $0.10/pieces 10-99 pieces
Détails d'emballage: Emballage antistatique
Capacité d'approvisionnement: 1000 morceaux/morceaux par Semaine
type: |
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon. |
Température de fonctionnement: |
La norme |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
/ |
D/C: |
22+ |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
La norme |
Type de fournisseur: |
Autres |
Correspondance: |
La norme |
Médias disponibles: |
Autres |
Marque: |
Transistor |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
La norme |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
La norme |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
La norme |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
La norme |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
La norme |
Puissance - maximum: |
La norme |
Fréquence - transition: |
La norme |
Emballage / boîtier: |
La norme |
Résistance - base (R1): |
La norme |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
La norme |
Type de FET: |
La norme |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
La norme |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
La norme |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
La norme |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
La norme |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
La norme |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
La norme |
Fréquence: |
La norme |
Estimation actuelle (ampères): |
La norme |
Chiffre de bruit: |
La norme |
Puissance de sortie: |
La norme |
Tension - évaluée: |
La norme |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
La norme |
Vgs (maximum): |
La norme |
Type d'IGBT: |
/ |
Configuration: |
/ |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
/ |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
/ |
Résultats de l'analyse: |
/ |
Thermistance de NTC: |
/ |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
/ |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Drain actuel (identification) - maximum: |
/ |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
/ |
Résistance - le RDS (dessus): |
/ |
Voltage: |
/ |
Tension - sortie: |
/ |
Tension - compensation (VT): |
/ |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
/ |
Actuel - vallée (iv): |
/ |
Actuel - crête: |
/ |
Applications: |
/ |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
la ville de Shenzhen |
type: |
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon. |
Température de fonctionnement: |
La norme |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
/ |
D/C: |
22+ |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
La norme |
Type de fournisseur: |
Autres |
Correspondance: |
La norme |
Médias disponibles: |
Autres |
Marque: |
Transistor |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
La norme |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
La norme |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
La norme |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
La norme |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
La norme |
Puissance - maximum: |
La norme |
Fréquence - transition: |
La norme |
Emballage / boîtier: |
La norme |
Résistance - base (R1): |
La norme |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
La norme |
Type de FET: |
La norme |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
La norme |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
La norme |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
La norme |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
La norme |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
La norme |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
La norme |
Fréquence: |
La norme |
Estimation actuelle (ampères): |
La norme |
Chiffre de bruit: |
La norme |
Puissance de sortie: |
La norme |
Tension - évaluée: |
La norme |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
La norme |
Vgs (maximum): |
La norme |
Type d'IGBT: |
/ |
Configuration: |
/ |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
/ |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
/ |
Résultats de l'analyse: |
/ |
Thermistance de NTC: |
/ |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
/ |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Drain actuel (identification) - maximum: |
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Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
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Résistance - le RDS (dessus): |
/ |
Voltage: |
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Tension - sortie: |
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Tension - compensation (VT): |
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Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
/ |
Actuel - vallée (iv): |
/ |
Actuel - crête: |
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Applications: |
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Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
la ville de Shenzhen |
Les puces que nous avons | ||||||
Circuits intégrés Composants électroniques | IC de comparaison | Codage-décodage | Interfaces tactiles | |||
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