Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: LA4440
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 10 pièces
Prix: $0.80/pieces >=10 pieces
Détails d'emballage: Emballage antistatique
Capacité d'approvisionnement: 1000 pièces par semaine
Le type: |
Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Température de fonctionnement: |
N.A. |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
Na |
D/C: |
Plus de 22 ans |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application: |
La norme |
Type de fournisseur: |
Détaillant |
Référence croisée: |
N.A. |
Les médias disponibles: |
autres |
Marque: |
N.A. |
Courant - collecteur (Ic) (maximum): |
N.A. |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
N.A. |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
N.A. |
Courant - Coupe du collecteur (maximum): |
N.A. |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
N.A. |
Puissance maximale: |
N.A. |
Fréquence - Transition: |
N.A. |
Emballage / boîtier: |
N.A. |
Résistance - Base (R1): |
N.A. |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
N.A. |
Type de FET: |
N.A. |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
N.A. |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
N.A. |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
N.A. |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
N.A. |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
N.A. |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
N.A. |
Fréquence: |
N.A. |
Rating de courant (ampères): |
N.A. |
Figure du bruit: |
N.A. |
Puissance de sortie: |
Na |
Voltage - Nominal: |
N.A. |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
N.A. |
Vgs (maximum): |
N.A. |
Type IGBT: |
N.A. |
Configuration: |
La norme |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
N.A. |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
N.A. |
Entrée: |
N.A. |
Thermistors NTC: |
N.A. |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
N.A. |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
N.A. |
Drain actuel (identification) - maximum: |
N.A. |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
N.A. |
Résistance - le RDS (dessus): |
N.A. |
Voltage: |
N.A. |
Voltage - sortie: |
N.A. |
Tension - compensation (VT): |
N.A. |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
N.A. |
Actuel - vallée (iv): |
N.A. |
Actuel - crête: |
N.A. |
Applications: |
N.A. |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
Le type: |
Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Température de fonctionnement: |
N.A. |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
Na |
D/C: |
Plus de 22 ans |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application: |
La norme |
Type de fournisseur: |
Détaillant |
Référence croisée: |
N.A. |
Les médias disponibles: |
autres |
Marque: |
N.A. |
Courant - collecteur (Ic) (maximum): |
N.A. |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
N.A. |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
N.A. |
Courant - Coupe du collecteur (maximum): |
N.A. |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
N.A. |
Puissance maximale: |
N.A. |
Fréquence - Transition: |
N.A. |
Emballage / boîtier: |
N.A. |
Résistance - Base (R1): |
N.A. |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
N.A. |
Type de FET: |
N.A. |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
N.A. |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
N.A. |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
N.A. |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
N.A. |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
N.A. |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
N.A. |
Fréquence: |
N.A. |
Rating de courant (ampères): |
N.A. |
Figure du bruit: |
N.A. |
Puissance de sortie: |
Na |
Voltage - Nominal: |
N.A. |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
N.A. |
Vgs (maximum): |
N.A. |
Type IGBT: |
N.A. |
Configuration: |
La norme |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
N.A. |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
N.A. |
Entrée: |
N.A. |
Thermistors NTC: |
N.A. |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
N.A. |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
N.A. |
Drain actuel (identification) - maximum: |
N.A. |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
N.A. |
Résistance - le RDS (dessus): |
N.A. |
Voltage: |
N.A. |
Voltage - sortie: |
N.A. |
Tension - compensation (VT): |
N.A. |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
N.A. |
Actuel - vallée (iv): |
N.A. |
Actuel - crête: |
N.A. |
Applications: |
N.A. |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
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