Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: IRFB4110
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 10 pièces
Prix: $0.38/pieces >=10 pieces
Détails d'emballage: Emballage antistatique
Capacité d'approvisionnement: 1000 morceaux/morceaux par Semaine
type: |
Les données sont fournies par le système de mesure de l'échantillon. |
Température de fonctionnement: |
Na |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
IRF4905PBF |
D/C: |
Le plus nouveau |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
Transistor MOSFET |
Type de fournisseur: |
Autres |
Correspondance: |
Na |
Médias disponibles: |
Fiche technique |
Marque: |
Na |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
Na |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
Na |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
Na |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
Na |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
Na |
Puissance - maximum: |
Na |
Fréquence - transition: |
Na |
Emballage / boîtier: |
Na |
Résistance - base (R1): |
Na |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
Na |
Type de FET: |
Na |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
Na |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
Na |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
Na |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
Na |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
Na |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
Na |
Fréquence: |
Na |
Estimation actuelle (ampères): |
Na |
Chiffre de bruit: |
Na |
Puissance de sortie: |
Na |
Tension - évaluée: |
Na |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
Na |
Vgs (maximum): |
Na |
Type d'IGBT: |
Na |
Configuration: |
La norme |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
Na |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
Na |
Résultats de l'analyse: |
Na |
Thermistance de NTC: |
Na |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
Na |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Na |
Drain actuel (identification) - maximum: |
Na |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
Na |
Résistance - le RDS (dessus): |
Na |
Voltage: |
Na |
Tension - sortie: |
Na |
Tension - compensation (VT): |
Na |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
Na |
Actuel - vallée (iv): |
Na |
Actuel - crête: |
Na |
Applications: |
Na |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
la ville de Shenzhen |
type: |
Les données sont fournies par le système de mesure de l'échantillon. |
Température de fonctionnement: |
Na |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
IRF4905PBF |
D/C: |
Le plus nouveau |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
Transistor MOSFET |
Type de fournisseur: |
Autres |
Correspondance: |
Na |
Médias disponibles: |
Fiche technique |
Marque: |
Na |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
Na |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
Na |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
Na |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
Na |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
Na |
Puissance - maximum: |
Na |
Fréquence - transition: |
Na |
Emballage / boîtier: |
Na |
Résistance - base (R1): |
Na |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
Na |
Type de FET: |
Na |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
Na |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
Na |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
Na |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
Na |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
Na |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
Na |
Fréquence: |
Na |
Estimation actuelle (ampères): |
Na |
Chiffre de bruit: |
Na |
Puissance de sortie: |
Na |
Tension - évaluée: |
Na |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
Na |
Vgs (maximum): |
Na |
Type d'IGBT: |
Na |
Configuration: |
La norme |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
Na |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
Na |
Résultats de l'analyse: |
Na |
Thermistance de NTC: |
Na |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
Na |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Na |
Drain actuel (identification) - maximum: |
Na |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
Na |
Résistance - le RDS (dessus): |
Na |
Voltage: |
Na |
Tension - sortie: |
Na |
Tension - compensation (VT): |
Na |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
Na |
Actuel - vallée (iv): |
Na |
Actuel - crête: |
Na |
Applications: |
Na |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
la ville de Shenzhen |
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