Détails de produit
Lieu d'origine: L'Afghanistan
Nom de marque: original
Numéro de modèle: BAT54HT1G
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 100 pièces
Prix: $0.01 - $0.08/pieces
Détails d'emballage: Emballage antistatique
Capacité d'approvisionnement: 10000 morceaux/morceaux par Semaine
Température de fonctionnement: |
/ |
Type de montage: |
/ |
Définition: |
Je suis désolée. |
type: |
Diode de signalisation |
Type de colis: |
Monture de surface |
Application du projet: |
Na |
Type de fournisseur: |
Autres |
Médias disponibles: |
Autres |
Tension en avant de maximum: |
30V |
Tension inverse de maximum: |
1.25V |
Max. Forward Current: |
200 mA |
Max. Reverse Current: |
150mA |
Type de diode: |
/ |
Technologie: |
/ |
Tension - inverse maximal (maximum): |
/ |
Actuel - moyenne rectifiée (E/S): |
/ |
Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si: |
/ |
Actuel - fuite inverse @ Vr: |
/ |
Emballage / boîtier: |
/ |
Configuration de diode: |
/ |
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum): |
/ |
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) (par diode): |
/ |
Vitesse: |
Petit =< 200mA (E/S), toute vitesse de signal |
Temps de rétablissement inverse (trr): |
/ |
Capacité @ Vr, F: |
/ |
Actuel - maximum: |
/ |
Résistance @ si, F: |
/ |
Dissipation de puissance (maximum): |
/ |
Rapport de capacité: |
/ |
Condition du rapport de capacité: |
/ |
Configuration: |
/ |
Tension - Zener (Nom) (Vz): |
/ |
La tolérance: |
/ |
Impédance (maximum) (Zzt): |
/ |
Port: |
la ville de Shenzhen |
Température de fonctionnement: |
/ |
Type de montage: |
/ |
Définition: |
Je suis désolée. |
type: |
Diode de signalisation |
Type de colis: |
Monture de surface |
Application du projet: |
Na |
Type de fournisseur: |
Autres |
Médias disponibles: |
Autres |
Tension en avant de maximum: |
30V |
Tension inverse de maximum: |
1.25V |
Max. Forward Current: |
200 mA |
Max. Reverse Current: |
150mA |
Type de diode: |
/ |
Technologie: |
/ |
Tension - inverse maximal (maximum): |
/ |
Actuel - moyenne rectifiée (E/S): |
/ |
Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si: |
/ |
Actuel - fuite inverse @ Vr: |
/ |
Emballage / boîtier: |
/ |
Configuration de diode: |
/ |
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum): |
/ |
Actuel - moyenne rectifiée (E/S) (par diode): |
/ |
Vitesse: |
Petit =< 200mA (E/S), toute vitesse de signal |
Temps de rétablissement inverse (trr): |
/ |
Capacité @ Vr, F: |
/ |
Actuel - maximum: |
/ |
Résistance @ si, F: |
/ |
Dissipation de puissance (maximum): |
/ |
Rapport de capacité: |
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Condition du rapport de capacité: |
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Configuration: |
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Tension - Zener (Nom) (Vz): |
/ |
La tolérance: |
/ |
Impédance (maximum) (Zzt): |
/ |
Port: |
la ville de Shenzhen |
Types de puces que nous avons | ||||||
Circuits intégrés Composants électroniques | CI comparateur | Encodeur-Décodeur | CI tactiles | |||
CI de référence de tension | Amplificateur | CI de détection de réinitialisation | CI d'amplificateur de puissance | |||
CI de traitement infrarouge | Puce d'interface | Puce Bluetooth | Puces Boost et Buck | |||
Puces de base de temps | Puces de communication d'horloge | CI émetteur-récepteur | CI RF sans fil | |||
Résistance à puce | Puce de stockage 2 | Puce Ethernet | Circuits intégrés Composants électroniques | |||
