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Transistor bipolaire (BJT) PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor

Détails de produit

Lieu d'origine: Guangdong, Chine

Nom de marque: original

Numéro de modèle: A1930 C5171 Les États membres

Conditions de paiement et d'expédition

Prix: $1.00/pieces >=1 pieces

Détails d'emballage: Emballage antistatique

Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces par jour

Obtenez le meilleur prix
Mettre en évidence:
Le type:
Transistors bipolaires, transistors IGBT
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Série:
La norme
Type de montage:
À travers le trou
Définition:
/
D/C:
/
Type de colis:
/
Application:
/
Type de fournisseur:
autres
Référence croisée:
La norme
Les médias disponibles:
autres
Marque:
Trans PNP 180V 2A à 220NIS
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
/
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
/
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
/
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
/
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
/
Puissance maximale:
/
Fréquence - Transition:
/
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Résistance - Base (R1):
/
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
/
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
La norme
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
33A (comité technique)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à:
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250UA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
94nC @ 10V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à combustion
Fréquence:
/
Rating de courant (ampères):
/
Figure du bruit:
/
Puissance - Sortie:
/
Voltage - Nominal:
/
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Type IGBT:
/
Configuration:
La norme
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
/
Entrée:
/
Thermistors NTC:
/
Tension - panne (V (BR) GSS):
/
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
/
Drain actuel (identification) - maximum:
/
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
/
Résistance - le RDS (dessus):
/
Voltage:
/
Voltage - sortie:
/
Tension - compensation (VT):
/
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao):
/
Actuel - vallée (iv):
/
Actuel - crête:
/
Applications:
/
Type de transistor:
un débit de sortie de sortie de l'appareil,
Port:
Je suis à Shenzhen.
Le type:
Transistors bipolaires, transistors IGBT
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Série:
La norme
Type de montage:
À travers le trou
Définition:
/
D/C:
/
Type de colis:
/
Application:
/
Type de fournisseur:
autres
Référence croisée:
La norme
Les médias disponibles:
autres
Marque:
Trans PNP 180V 2A à 220NIS
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
/
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
/
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
/
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
/
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
/
Puissance maximale:
/
Fréquence - Transition:
/
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Résistance - Base (R1):
/
Résistance - Base de l'émetteur (R2):
/
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
La norme
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
33A (comité technique)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à:
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250UA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
94nC @ 10V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils à combustion
Fréquence:
/
Rating de courant (ampères):
/
Figure du bruit:
/
Puissance - Sortie:
/
Voltage - Nominal:
/
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Type IGBT:
/
Configuration:
La norme
Le nombre maximal d'émissions de CO2:
/
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:
/
Entrée:
/
Thermistors NTC:
/
Tension - panne (V (BR) GSS):
/
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
/
Drain actuel (identification) - maximum:
/
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
/
Résistance - le RDS (dessus):
/
Voltage:
/
Voltage - sortie:
/
Tension - compensation (VT):
/
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao):
/
Actuel - vallée (iv):
/
Actuel - crête:
/
Applications:
/
Type de transistor:
un débit de sortie de sortie de l'appareil,
Port:
Je suis à Shenzhen.
Transistor bipolaire (BJT) PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor

La société Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd. a été créée pour fournir des services d'assistance technique à la Chine.

Bienvenue dans notre entreprise! Nous sommes votre fournisseur tout-en-un pour les composants électroniques ((BOM). Notre expertise réside dans la fourniture d'une grande variété de composants électroniques pour répondre à vos besoins divers.Nous offrons:- composants passifs: résistances, condensateurs, inducteurs, connecteurs - composants électromécaniques: commutateurs,relais, actionneurs de capteurs - Appareils électriques: régulateurs de tension, convertisseurs de puissance, gestion de batterie - Optoélectronique: LED, lasers, photodiodes, capteurs optiques - RF et composants sans fil: modules RF,antennes, communication sans fil - Capteurs: capteurs de température, capteurs de mouvement, capteurs d'environnement.
Transistor bipolaire (BJT) PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor 0

Type: Circuits intégrés Composants électroniques
DC22+
MOQ: 1 pièces
Paquet: Standard
La gamme de puces fonctionnelles est large et couvre de nombreux domaines d'application différents, tels que les communications, le traitement d'image, le contrôle des capteurs, le traitement audio, la gestion de l'énergie, etc.
Les puces que nous avons



Circuits intégrés Composants électroniques
IC de comparaison
Codage-décodage
Interfaces tactiles
IC de référence de tension
Amplificateur
Réinitialiser le détecteur IC
IC d'amplificateur de puissance
IC de traitement infrarouge
Puce d'interface
Une puce Bluetooth
Boost et Buck Chips
Les puces de base temporelles
Les puces de communication de l'horloge
IC émetteur-récepteur
IC RF sans fil
Résistant à puce
Puce de stockage 2
Puce Ethernet
Circuits intégrés Composants électroniques
Transistor bipolaire (BJT) PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor 1
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Transistor bipolaire (BJT) PNP 180V 2A 200Mhz 2W 2SA1930 2SC5171 A1930 C5171 Transistor 3
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