Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: FR157 M1
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 10 pièces
Prix: $0.10/pieces >=10 pieces
Détails d'emballage: Emballage antistatique
Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces par semaine
Le type: |
JFET, transistor à effet de champ, transistor IGBT |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
/ |
D/C: |
, |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
Diodes rectificatrices à récupération rapide |
Type de fournisseur: |
autres |
Référence croisée: |
La norme |
Les médias disponibles: |
autres |
Marque: |
, |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
, |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
, |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
, |
Résistance - Base (R1): |
, |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
, |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
, |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
, |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
, |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
, |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
, |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
, |
Fréquence: |
, |
Rating de courant (ampères): |
, |
Figure du bruit: |
, |
Puissance - Sortie: |
, |
Voltage - Nominal: |
, |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
, |
Vgs (maximum): |
, |
Type IGBT: |
, |
Configuration: |
La norme |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
, |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
, |
Entrée: |
, |
Thermistance de NTC: |
, |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
, |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Drain actuel (identification) - maximum: |
, |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
, |
Résistance - le RDS (dessus): |
, |
Voltage: |
, |
Voltage - sortie: |
, |
Tension - compensation (VT): |
, |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
, |
Actuel - vallée (iv): |
, |
Actuel - crête: |
, |
Applications: |
, |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
Le type: |
JFET, transistor à effet de champ, transistor IGBT |
Série: |
La norme |
Type de montage: |
La norme |
Définition: |
/ |
D/C: |
, |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
Diodes rectificatrices à récupération rapide |
Type de fournisseur: |
autres |
Référence croisée: |
La norme |
Les médias disponibles: |
autres |
Marque: |
, |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
, |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
, |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
, |
Résistance - Base (R1): |
, |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
, |
Caractéristique de FET: |
La norme |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
, |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
, |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
, |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
, |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
, |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
, |
Fréquence: |
, |
Rating de courant (ampères): |
, |
Figure du bruit: |
, |
Puissance - Sortie: |
, |
Voltage - Nominal: |
, |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
, |
Vgs (maximum): |
, |
Type IGBT: |
, |
Configuration: |
La norme |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
, |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
, |
Entrée: |
, |
Thermistance de NTC: |
, |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
, |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Drain actuel (identification) - maximum: |
, |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
, |
Résistance - le RDS (dessus): |
, |
Voltage: |
, |
Voltage - sortie: |
, |
Tension - compensation (VT): |
, |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
, |
Actuel - vallée (iv): |
, |
Actuel - crête: |
, |
Applications: |
, |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
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