Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: Le TSM950N10CW
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 100 pièces
Prix: $0.50/pieces >=100 pieces
Détails d'emballage: Nouveau et original, garniture du joint d'usine, ce sera paquet dans un de ces derniers type d'embal
Capacité d'approvisionnement: 50000000 morceaux/morceaux par Jour
Le type: |
Transistors MOS, transistors IGBT |
Température de fonctionnement: |
-55°C à 150°C (TJ) |
Série: |
/ |
Type de montage: |
Monture de surface |
Définition: |
/ |
D/C: |
Plus de 22 ans |
Type de colis: |
SOT-223-3 |
Application: |
Diodes - rectificateurs |
Type de fournisseur: |
autres |
Référence croisée: |
La norme |
Les médias disponibles: |
autres |
Marque: |
MOSFET SOT-223-3 Les déchets chimiques |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
, |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
, |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
, |
Emballage / boîtier: |
SOT-223 |
Résistance - Base (R1): |
, |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
, |
Caractéristique de FET: |
/ |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
, |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
, |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
, |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
/ |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
, |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
, |
Fréquence: |
, |
Rating de courant (ampères): |
, |
Figure du bruit: |
, |
Puissance - Sortie: |
, |
Voltage - Nominal: |
, |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
4.5V, 10V |
Vgs (maximum): |
± 20 V |
Type IGBT: |
, |
Configuration: |
/ |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
, |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
, |
Entrée: |
, |
Thermistors NTC: |
, |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
, |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Drain actuel (identification) - maximum: |
, |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
, |
Résistance - le RDS (dessus): |
, |
Voltage: |
, |
Voltage - sortie: |
, |
Tension - compensation (VT): |
, |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
, |
Actuel - vallée (iv): |
, |
Actuel - crête: |
, |
Applications: |
, |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
Le type: |
Transistors MOS, transistors IGBT |
Température de fonctionnement: |
-55°C à 150°C (TJ) |
Série: |
/ |
Type de montage: |
Monture de surface |
Définition: |
/ |
D/C: |
Plus de 22 ans |
Type de colis: |
SOT-223-3 |
Application: |
Diodes - rectificateurs |
Type de fournisseur: |
autres |
Référence croisée: |
La norme |
Les médias disponibles: |
autres |
Marque: |
MOSFET SOT-223-3 Les déchets chimiques |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): |
, |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic: |
, |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
, |
Emballage / boîtier: |
SOT-223 |
Résistance - Base (R1): |
, |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): |
, |
Caractéristique de FET: |
/ |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
, |
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: |
, |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
, |
Vgs(th) (maximum) @ Id: |
/ |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: |
, |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
, |
Fréquence: |
, |
Rating de courant (ampères): |
, |
Figure du bruit: |
, |
Puissance - Sortie: |
, |
Voltage - Nominal: |
, |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
4.5V, 10V |
Vgs (maximum): |
± 20 V |
Type IGBT: |
, |
Configuration: |
/ |
Le nombre maximal d'émissions de CO2: |
, |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
, |
Entrée: |
, |
Thermistors NTC: |
, |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
, |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Drain actuel (identification) - maximum: |
, |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
, |
Résistance - le RDS (dessus): |
, |
Voltage: |
, |
Voltage - sortie: |
, |
Tension - compensation (VT): |
, |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
, |
Actuel - vallée (iv): |
, |
Actuel - crête: |
, |
Applications: |
, |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
Je suis à Shenzhen. |
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