Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: Le TSM950N10CW
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 100 pièces
Prix: $0.50/pieces >=100 pieces
Détails d'emballage: Nouveau et original, garniture du joint d'usine, ce sera paquet dans un de ces derniers type d'embal
Capacité d'approvisionnement: 50000000 morceaux/morceaux par Jour
type: |
Transistors MOS, transistors IGBT |
Température de fonctionnement: |
-55°C | 150°C (TJ) |
Série: |
/ |
Type de montage: |
Monture de surface |
Définition: |
/ |
D/C: |
22+ |
Type de colis: |
SOT-223-3 |
Application du projet: |
Diodes - rectificateurs |
Type de fournisseur: |
Autres |
Correspondance: |
La norme |
Médias disponibles: |
Autres |
Marque: |
MOSFET SOT-223-3 Les déchets chimiques |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
, |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
, |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
, |
Emballage / boîtier: |
SOT-223 |
Résistance - base (R1): |
, |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
, |
Caractéristique de FET: |
/ |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
, |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
, |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
, |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
/ |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
, |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
, |
Fréquence: |
, |
Estimation actuelle (ampères): |
, |
Chiffre de bruit: |
, |
Puissance de sortie: |
, |
Tension - évaluée: |
, |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
4.5V, 10V |
Vgs (maximum): |
±20V |
Type d'IGBT: |
, |
Configuration: |
/ |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
, |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
, |
Résultats de l'analyse: |
, |
Thermistance de NTC: |
, |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
, |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Drain actuel (identification) - maximum: |
, |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
, |
Résistance - le RDS (dessus): |
, |
Voltage: |
, |
Tension - sortie: |
, |
Tension - compensation (VT): |
, |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
, |
Actuel - vallée (iv): |
, |
Actuel - crête: |
, |
Applications: |
, |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
la ville de Shenzhen |
type: |
Transistors MOS, transistors IGBT |
Température de fonctionnement: |
-55°C | 150°C (TJ) |
Série: |
/ |
Type de montage: |
Monture de surface |
Définition: |
/ |
D/C: |
22+ |
Type de colis: |
SOT-223-3 |
Application du projet: |
Diodes - rectificateurs |
Type de fournisseur: |
Autres |
Correspondance: |
La norme |
Médias disponibles: |
Autres |
Marque: |
MOSFET SOT-223-3 Les déchets chimiques |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
, |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
, |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
, |
Emballage / boîtier: |
SOT-223 |
Résistance - base (R1): |
, |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
, |
Caractéristique de FET: |
/ |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
, |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
, |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
, |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
/ |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
, |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
, |
Fréquence: |
, |
Estimation actuelle (ampères): |
, |
Chiffre de bruit: |
, |
Puissance de sortie: |
, |
Tension - évaluée: |
, |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
4.5V, 10V |
Vgs (maximum): |
±20V |
Type d'IGBT: |
, |
Configuration: |
/ |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
, |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
, |
Résultats de l'analyse: |
, |
Thermistance de NTC: |
, |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
, |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Drain actuel (identification) - maximum: |
, |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
, |
Résistance - le RDS (dessus): |
, |
Voltage: |
, |
Tension - sortie: |
, |
Tension - compensation (VT): |
, |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
, |
Actuel - vallée (iv): |
, |
Actuel - crête: |
, |
Applications: |
, |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Port: |
la ville de Shenzhen |
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