Détails de produit
Lieu d'origine: Guangdong, Chine
Nom de marque: original
Numéro de modèle: BT151-500R
Conditions de paiement et d'expédition
Prix: $0.98/pieces 1-99 pieces
Détails d'emballage: ESD/Vacuum/Foam/Cartons
Capacité d'approvisionnement: 88888 pièces par mois
type: |
Transistors, transistors IGBT |
Température de fonctionnement: |
-55°C | 150°C (TJ) |
Série: |
BT1 - Résistance à la combustion |
Type de montage: |
Par le trou |
Définition: |
TO220AB |
D/C: |
- |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
- |
Type de fournisseur: |
Producteur d'origine, ODM, Agence, détaillant |
Correspondance: |
La norme |
Médias disponibles: |
fiche technique, photo |
Marque: |
BT151-500R |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
- |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
- |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
- |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
- |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
- |
Puissance - maximum: |
- |
Fréquence - transition: |
- |
Emballage / boîtier: |
TO-220-3 |
Résistance - base (R1): |
- |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
- |
Type de FET: |
- |
Caractéristique de FET: |
- |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
- |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
- |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
- |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
- |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
- |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
- |
Fréquence: |
- |
Estimation actuelle (ampères): |
- |
Chiffre de bruit: |
- |
Puissance de sortie: |
- |
Tension - évaluée: |
- |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
- |
Vgs (maximum): |
- |
Type d'IGBT: |
- |
Configuration: |
- |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
- |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
- |
Résultats de l'analyse: |
- |
Thermistance de NTC: |
- |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Drain actuel (identification) - maximum: |
- |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
- |
Résistance - le RDS (dessus): |
- |
Voltage: |
- |
Tension - sortie: |
- |
Tension - compensation (VT): |
- |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
- |
Actuel - vallée (iv): |
- |
Actuel - crête: |
- |
Applications: |
- |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Courant - non représentant. Montée subite 50, 60Hz (Itsm): |
120A, 132A |
Tension - outre d'état: |
500V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (maximum): |
1.5V |
Actuel - déclencheur de porte (Igt) (maximum): |
15mA |
Le niveau de tension de l'appareil doit être supérieur ou égal à celui de l'appareil.: |
1.75V |
Courant - en état (I (AV)) (max): |
7.5A |
Actuel - sur l'état (il (RMS)) (Maximum): |
12A |
Numéro du produit de base: |
BT151 |
Port: |
la ville de Shenzhen |
type: |
Transistors, transistors IGBT |
Température de fonctionnement: |
-55°C | 150°C (TJ) |
Série: |
BT1 - Résistance à la combustion |
Type de montage: |
Par le trou |
Définition: |
TO220AB |
D/C: |
- |
Type de colis: |
Dans tout le trou |
Application du projet: |
- |
Type de fournisseur: |
Producteur d'origine, ODM, Agence, détaillant |
Correspondance: |
La norme |
Médias disponibles: |
fiche technique, photo |
Marque: |
BT151-500R |
Actuel - collecteur (IC) (maximum): |
- |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): |
- |
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: |
- |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): |
- |
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: |
- |
Puissance - maximum: |
- |
Fréquence - transition: |
- |
Emballage / boîtier: |
TO-220-3 |
Résistance - base (R1): |
- |
Résistance - base d'émetteur (R2): |
- |
Type de FET: |
- |
Caractéristique de FET: |
- |
Vidangez à la tension de source (Vdss): |
- |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: |
- |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: |
- |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: |
- |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: |
- |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: |
- |
Fréquence: |
- |
Estimation actuelle (ampères): |
- |
Chiffre de bruit: |
- |
Puissance de sortie: |
- |
Tension - évaluée: |
- |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): |
- |
Vgs (maximum): |
- |
Type d'IGBT: |
- |
Configuration: |
- |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC: |
- |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: |
- |
Résultats de l'analyse: |
- |
Thermistance de NTC: |
- |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
Drain actuel (identification) - maximum: |
- |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
- |
Résistance - le RDS (dessus): |
- |
Voltage: |
- |
Tension - sortie: |
- |
Tension - compensation (VT): |
- |
Actuel - porte à la fuite d'anode (Igao): |
- |
Actuel - vallée (iv): |
- |
Actuel - crête: |
- |
Applications: |
- |
Type de transistor: |
un débit de sortie de sortie de l'appareil, |
Courant - non représentant. Montée subite 50, 60Hz (Itsm): |
120A, 132A |
Tension - outre d'état: |
500V |
Tension - déclencheur de porte (Vgt) (maximum): |
1.5V |
Actuel - déclencheur de porte (Igt) (maximum): |
15mA |
Le niveau de tension de l'appareil doit être supérieur ou égal à celui de l'appareil.: |
1.75V |
Courant - en état (I (AV)) (max): |
7.5A |
Actuel - sur l'état (il (RMS)) (Maximum): |
12A |
Numéro du produit de base: |
BT151 |
Port: |
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