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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les appareils de type "A" ou "B"
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
750 mV @ 1 μA
Puissance maximale:
300mW
Mfr:
Technologie des puces
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
10pF @ 5V
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
10pF @ 5V
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
2N2608
JFET P-Channel 30 V 300 mW à travers le trou TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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