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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et boîte (TB)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
7 mA @ 15 V
Mfr:
NXP États-Unis Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
3 V @ 10 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Puissance maximale:
400 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Résistance - le RDS (dessus):
125 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Numéro du produit de base:
L'utilisation de produits chimiques
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
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Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Résistance - le RDS (dessus):
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Numéro du produit de base:
L'utilisation de produits chimiques
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
J175,116
JFET P-Channel 30 V 400 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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