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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 μA @ 10 V
Mfr:
Composants électroniques de Panasonic
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1.3 V @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de série est le numéro de série.
Drain actuel (identification) - maximum:
1 MA
Température de fonctionnement:
125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1pF @ 10V
Puissance maximale:
125 mW
Emballage / boîtier:
SC-89, SOT-490
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Numéro du produit de base:
2SK2380
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
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Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Mfr:
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Drain actuel (identification) - maximum:
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1pF @ 10V
Puissance maximale:
125 mW
Emballage / boîtier:
SC-89, SOT-490
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Numéro du produit de base:
2SK2380
2SK23800QL: le produit de base de l'entreprise
JFET N-Channel 1 mA 125 mW Monture de surface SSMini3-F2

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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