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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
500 mV @ 1 nA
Puissance maximale:
350 mW
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Numéro du produit de base:
Résistance à l'humidité
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
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Tape et bobine (TR)
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Numéro du produit de base:
Résistance à l'humidité
Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.
JFET P-Channel 30 V 350 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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