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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
500 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92 (TO-226)
Température de fonctionnement:
135°C (TJ)
Puissance maximale:
310 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 Corps long (plombs formés)
Résistance - le RDS (dessus):
18 Ohms
Numéro du produit de base:
Résultats
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
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Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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TO-226-3, TO-92-3 Corps long (plombs formés)
Résistance - le RDS (dessus):
18 Ohms
Numéro du produit de base:
Résultats
J110RLRA
N-canal 25 V 310 mW de JFET par le trou TO-92 (TO-226)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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