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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
800 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Température de fonctionnement:
-65°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Numéro du produit de base:
Le BSR58
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
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8 mA @ 15 V
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Numéro du produit de base:
Le BSR58
Le numéro de série BSR58LT1G
JFET N-Channel 40 V 350 mW Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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