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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
NXP États-Unis Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
5 V @ 0,5 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-23 (TO-236AB)
Drain actuel (identification) - maximum:
10 mA
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4pF @ 10V
Puissance maximale:
250mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Numéro du produit de base:
BFR30
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
5 V @ 0,5 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Drain actuel (identification) - maximum:
10 mA
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4pF @ 10V
Puissance maximale:
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Numéro du produit de base:
BFR30
Le BFR30,235
JFET N-Channel 10 mA 250 mW Monture de surface SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

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