Détails de produit
Conditions de paiement et d'expédition
Définition: Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET |
Type de FET: |
N-canal |
statut du produit: |
Dépassé |
Type de montage: |
Monture de surface |
Le paquet: |
Tape et bobine (TR) |
Série: |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
240 μA @ 2 V |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
3-VTFP |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
100 mV @ 1 μA |
Drain actuel (identification) - maximum: |
1 MA |
Mfr: |
Uniseme |
Température de fonctionnement: |
150°C (TJ) |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
3.1pF @ 2V |
Puissance maximale: |
100 mW |
Emballage / boîtier: |
3-SMD, avance plate |
Numéro du produit de base: |
TF256 |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET |
Type de FET: |
N-canal |
statut du produit: |
Dépassé |
Type de montage: |
Monture de surface |
Le paquet: |
Tape et bobine (TR) |
Série: |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
240 μA @ 2 V |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
3-VTFP |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
100 mV @ 1 μA |
Drain actuel (identification) - maximum: |
1 MA |
Mfr: |
Uniseme |
Température de fonctionnement: |
150°C (TJ) |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
3.1pF @ 2V |
Puissance maximale: |
100 mW |
Emballage / boîtier: |
3-SMD, avance plate |
Numéro du produit de base: |
TF256 |