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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BSR56,215

Détails de produit

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Définition: Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type A.

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 15 V
Mfr:
NXP États-Unis Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4 V @ 0,5 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-23 (TO-236AB)
Drain actuel (identification) - maximum:
20 mA
Puissance maximale:
250mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Résistance - le RDS (dessus):
25 Ohms
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Numéro du produit de base:
Le BSR5
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 15 V
Mfr:
NXP États-Unis Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4 V @ 0,5 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-23 (TO-236AB)
Drain actuel (identification) - maximum:
20 mA
Puissance maximale:
250mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Résistance - le RDS (dessus):
25 Ohms
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Numéro du produit de base:
Le BSR5
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
BSR56,215
JFET N-Channel 40 V 20 mA 250 mW Monture de surface SOT-23 (TO-236AB)