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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
NXP États-Unis Inc.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
5 V @ 0,5 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-23 (TO-236AB)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Puissance maximale:
250mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Résistance - le RDS (dessus):
40 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Numéro du produit de base:
Le BSR5
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
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Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Mfr:
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-
Résistance - le RDS (dessus):
40 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Numéro du produit de base:
Le BSR5
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
BSR57 215
JFET N-Channel 40 V 250 mW Monture de surface SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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