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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 20 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
10 V @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Emballage / boîtier:
Pour les appareils à commande numérique, le numéro d'immatriculation est le numéro de série.
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
45pF @ 15V
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
autres appareils
Numéro du produit de base:
P1086
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 20 V
Mfr:
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
10 V @ 1 μA
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Température de fonctionnement:
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
45pF @ 15V
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
autres appareils
Numéro du produit de base:
P1086
P1086_D75Z
JFET P-Channel 30 V 350 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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