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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Arrêté par Digi-Key
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 20 V
Mfr:
Technologie des puces
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-18
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Puissance maximale:
360 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
16pF @ 20V
Résistance - le RDS (dessus):
80 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-65°C à 175°C (TJ)
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-65°C à 175°C (TJ)
2N4093
N-canal 40 V 360 mW de JFET par le trou TO-18

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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