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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
80 μA @ 10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1 V @ 1 nA
Puissance maximale:
350 mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3pF @ 10V
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base:
Les résultats de l'enquête
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Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

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