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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: JFET N-CH TO18

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Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1 V @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-18
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Puissance maximale:
350 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
5pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-65°C à 175°C (TJ)
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-65°C à 175°C (TJ)
Le BSV80
JFET N-Channel 350 mW à travers le trou TO-18

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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