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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
500 mA @ 15 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4.5 V @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-223-4
Emballage / boîtier:
Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
1 W
Résistance - le RDS (dessus):
3 Ohms
Numéro du produit de base:
JFTJ1
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
25 V
Type de montage:
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Le paquet:
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
1 W
Résistance - le RDS (dessus):
3 Ohms
Numéro du produit de base:
JFTJ1
JFTJ105
JFET N-Channel 25 V 1 W Monture de surface SOT-223-4

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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