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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: JFET N-CH 35V à 92

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 20 V
Mfr:
un demi
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92 (TO-226)
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 Corps long (plombs formés)
Puissance maximale:
310 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
10pF @ 12V (VGS)
Résistance - le RDS (dessus):
30 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Numéro du produit de base:
Pour les appareils à commande numérique
Température de fonctionnement:
-65°C à 150°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 20 V
Mfr:
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10pF @ 12V (VGS)
Résistance - le RDS (dessus):
30 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Numéro du produit de base:
Pour les appareils à commande numérique
Température de fonctionnement:
-65°C à 150°C (TJ)
Les éléments suivants doivent être utilisés:
JFET N-Channel 35 V 310 mW à travers le trou TO-92 (TO-226)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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