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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
Mfr:
un demi
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
5 V @ 0,5 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
5pF @ 10V
Puissance maximale:
225mW
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Numéro du produit de base:
BFR30
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 10 V
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5 V @ 0,5 nA
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
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5pF @ 10V
Puissance maximale:
225mW
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Numéro du produit de base:
BFR30
BFR30LT1G
JFET N-Channel 225 mW Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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