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Détails de produit

Conditions de paiement et d'expédition

Définition: JFET N-CH 50 V USM

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Détails de produit

Description de produit
Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
50 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
USM
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1.5 V @ 100 nA
Puissance maximale:
100 mW
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Température de fonctionnement:
125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
13pF @ 10V
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Numéro du produit de base:
2SK880
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
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Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
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13pF @ 10V
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Numéro du produit de base:
2SK880
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la zone géographique.
JFET N-Channel 50 V 100 mW Monture de surface USM

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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