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2SK879-GR ((TE85L,F)
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Conditions de paiement et d'expédition

Définition: JFET N-CH USM

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Description de produit
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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20,6 mA @ 10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
USM
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
Le débit de courant doit être de 400 mV @ 100 nA.
Puissance maximale:
100 mW
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Température de fonctionnement:
125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Numéro du produit de base:
2SK879
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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8.2pF @ 10V
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Numéro du produit de base:
2SK879
2SK879-GR ((TE85L,F)
JFET N-Channel 100 mW Monture de surface USM

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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