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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Le sac
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 15 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4 V @ 500 pA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-218
Emballage / boîtier:
TO-218-3
Puissance maximale:
360 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
18pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
25 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Le sac
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 mA @ 15 V
Mfr:
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4 V @ 500 pA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-218
Emballage / boîtier:
TO-218-3
Puissance maximale:
360 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
18pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
25 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-
NTE 466
JFET N-Channel 40 V 360 mW à travers le trou TO-218

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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