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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Le sac
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
6 V @ 100 pA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-72
Drain actuel (identification) - maximum:
15 mA
Puissance maximale:
300mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
6pF @ 15V
Résistance - le RDS (dessus):
400 ohms
Emballage / boîtier:
Pour les déchets de métaux, les déchets de métaux doivent être déposés dans un récipient.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Température de fonctionnement:
175°C (TJ)
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Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
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30 V
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175°C (TJ)
Pour les appareils à commande numérique
JFET N-Channel 30 V 15 mA 300 mW à travers le trou TO-72

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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