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Mettre en évidence:
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
un demi
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
3 V @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
625 mW
Résistance - le RDS (dessus):
30 Ohms
Numéro du produit de base:
J111
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Coupez la bande (les CT) Bande et boîte (TB)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
3 V @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
625 mW
Résistance - le RDS (dessus):
30 Ohms
Numéro du produit de base:
J111
Le nombre d'unités
JFET N-Channel 35 V 625 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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