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Le nombre total d'équipements utilisés pour le contrôle de la pollution par les gaz à effet de serre

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Définition: JFET N-CH 0,1 W USM

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Description de produit

Mettre en évidence:

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET	Type de FET:	N-canal
Statut du produit:	Actif	Type de montage:	Monture de surface
le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®	Série:	-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):	1.2 mA @ 10 V	Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	USM
Tension - identification de la coupure (VGS) @:	Le débit de courant doit être de 400 mV @ 100 nA.	Puissance maximale:	100 mW
Mfr:	Toshiba Semi-conducteurs et stockage	Température de fonctionnement:	125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:	8.2pF @ 10V	Emballage / boîtier:	SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Numéro du produit de base:	2SK879

Catégorie:	Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:	N-canal
Statut du produit:	Actif
Type de montage:	Monture de surface
le paquet:	Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:	-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):	1.2 mA @ 10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:	USM
Tension - identification de la coupure (VGS) @:	Le débit de courant doit être de 400 mV @ 100 nA.
Puissance maximale:	100 mW
Mfr:	Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Température de fonctionnement:	125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:	8.2pF @ 10V
Emballage / boîtier:	SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Numéro du produit de base:	2SK879