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2SK209-Y (TE85L, F)

Détails de produit

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Définition: Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type S.

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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
50 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Pour les appareils à commande numérique
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-59
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1.5 V @ 100 nA
Drain actuel (identification) - maximum:
14 mA
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Température de fonctionnement:
125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
13pF @ 10V
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base:
2SK209
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
50 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Pour les appareils à commande numérique
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-59
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1.5 V @ 100 nA
Drain actuel (identification) - maximum:
14 mA
Mfr:
Toshiba Semi-conducteurs et stockage
Température de fonctionnement:
125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
13pF @ 10V
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base:
2SK209
2SK209-Y (TE85L, F)
JFET N-Channel 50 V 14 mA 150 mW Monture de surface SC-59