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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Produits en vrac
Série:
Military, MIL-PRF-19500/385 (en anglais seulement)
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Technologie des puces
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
Pour les appareils de traitement des ondes
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le secteur privé
Emballage / boîtier:
3-SMD, sans plomb
Puissance maximale:
360 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
18pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
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Tension - panne (V (BR) GSS):
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60 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
MQ2N4861UB
JFET N-Channel 30 V 360 mW Monture de surface UB

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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