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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
20 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Sac
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 10 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc. est une société
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-72
Emballage / boîtier:
Pour les déchets de métaux, les déchets de métaux doivent être déposés dans un récipient.
Température de fonctionnement:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
20pF @ 10V
Puissance maximale:
300mW
Résistance - le RDS (dessus):
800 Ohms
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Puissance maximale:
300mW
Résistance - le RDS (dessus):
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NTE460
JFET P-Channel 20 V 300 mW à travers le trou TO-72

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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