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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Mfr:
Technologie des puces
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
1 V @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Unité de contrôle
Emballage / boîtier:
4-SMD, sans plomb
Puissance maximale:
500 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
27pF @ 15V
Résistance - le RDS (dessus):
175 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
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Type de FET:
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30 V
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Pour l'utilisation dans les véhicules à moteur
JFET P-Channel 30 V 500 mW Monture de surface UA

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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