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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 15 V
Mfr:
Technologie des puces
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
8 V @ 500 pA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le secteur privé
Emballage / boîtier:
3-SMD, sans plomb
Température de fonctionnement:
-55°C | 200°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
6pF @ 15V
Puissance maximale:
300mW
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
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Monture de surface
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Tape et bobine (TR)
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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-55°C | 200°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
6pF @ 15V
Puissance maximale:
300mW
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Pour les appareils à commande numérique:
JFET N-Channel 30 V 300 mW Monture de surface UB

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

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