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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Produits en vrac
Série:
Militaire, MIL-PRF-19500
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
Technologie des puces
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4 V @ 1 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-18
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Puissance maximale:
500 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
27pF @ 15V
Résistance - le RDS (dessus):
175 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Numéro du produit de base:
Pour les appareils de traitement de l'air
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
P-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
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Militaire, MIL-PRF-19500
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 15 V
Mfr:
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
4 V @ 1 nA
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175 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Numéro du produit de base:
Pour les appareils de traitement de l'air
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
MX2N5116
JFET P-Channel 30 V 500 mW à travers le trou TO-18

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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