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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
un demi
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
500 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
100 Ohms
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
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Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel®
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Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
Mfr:
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Tension - identification de la coupure (VGS) @:
500 mV @ 1 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
-
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
100 Ohms
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation
MMBFJ113
JFET N-Channel 35 V 350 mW Monture de surface SOT-23-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

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transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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