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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-18
Puissance maximale:
300mW
Mfr:
Solid-state Inc.
Température de fonctionnement:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
18pF @ 10V
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Catégorie:
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Type de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
À travers le trou
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Produits en vrac
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-
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Puissance maximale:
300mW
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18pF @ 10V
Emballage / boîtier:
TO-206AA, le métal TO-18-3 peut
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
2N4857
JFET 40 V 300 mW à travers le trou TO-18

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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