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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Actif
Tension - panne (V (BR) GSS):
40 V
Type de montage:
Monture de surface
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Technologie des puces
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
Pour les appareils de traitement des ondes
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le secteur privé
Emballage / boîtier:
3-SMD, sans plomb
Puissance maximale:
360 mW
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
18pF @ 10V
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Température de fonctionnement:
-65°C | 200°C (TJ)
Catégorie:
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Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé à:
JFET N-Channel 40 V 360 mW Monture de surface UB

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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