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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
20 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Tape et boîte (TB)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 μA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 1 μA
Drain actuel (identification) - maximum:
1 mA
Mfr:
un demi
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Puissance maximale:
150 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FJN598
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
20 V
Type de montage:
À travers le trou
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Tape et boîte (TB)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 μA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 1 μA
Drain actuel (identification) - maximum:
1 mA
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
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150 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FJN598
Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:
JFET N-Channel 20 V 1 mA 150 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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