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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
20 V
Type de montage:
À travers le trou
le paquet:
Produits en vrac
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 μA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92S
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 1 μA
Drain actuel (identification) - maximum:
1 mA
Mfr:
un demi
Température de fonctionnement:
150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, corps du short TO-92-3
Numéro du produit de base:
Le KSK59
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
Statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
20 V
Type de montage:
À travers le trou
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 μA @ 5 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
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Drain actuel (identification) - maximum:
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Mfr:
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La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
TO-226-3, corps du short TO-92-3
Numéro du produit de base:
Le KSK59
Le numéro de téléphone est le KSK596ABU
JFET N-Channel 20 V 1 mA 100 mW à travers le trou TO-92S

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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