Détails de produit
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Définition: JFET N-CH 30V
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET |
Type de FET: |
N-canal |
Statut du produit: |
Actif |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
30 V |
Type de montage: |
Monture de surface |
le paquet: |
Tape et bobine (TR) |
Série: |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Pour les appareils à commande numérique |
Mfr: |
Technologie des puces |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
6 V @ 500 pA |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
- |
Emballage / boîtier: |
3-SMD, sans plomb |
Puissance maximale: |
360 mW |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
18pF @ 10V |
Résistance - le RDS (dessus): |
40 Ohms |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
30 V |
Numéro du produit de base: |
2N4860 |
Température de fonctionnement: |
-65°C | 200°C (TJ) |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET |
Type de FET: |
N-canal |
Statut du produit: |
Actif |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
30 V |
Type de montage: |
Monture de surface |
le paquet: |
Tape et bobine (TR) |
Série: |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
Pour les appareils à commande numérique |
Mfr: |
Technologie des puces |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
6 V @ 500 pA |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
- |
Emballage / boîtier: |
3-SMD, sans plomb |
Puissance maximale: |
360 mW |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
18pF @ 10V |
Résistance - le RDS (dessus): |
40 Ohms |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
30 V |
Numéro du produit de base: |
2N4860 |
Température de fonctionnement: |
-65°C | 200°C (TJ) |