Détails de produit
Conditions de paiement et d'expédition
Définition: Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes de type A.
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET |
Type de FET: |
N-canal |
Statut du produit: |
Actif |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
25 V |
Type de montage: |
À travers le trou |
le paquet: |
Le sac |
Série: |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
500 μA @ 15 V |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
6.5 V @ 1 nA |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
TO-106 |
Emballage / boîtier: |
TO-106-3 à dôme |
Température de fonctionnement: |
-55°C à 150°C (TJ) |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
- |
Puissance maximale: |
300mW |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
25 V |
Catégorie: |
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les JFET |
Type de FET: |
N-canal |
Statut du produit: |
Actif |
Tension - panne (V (BR) GSS): |
25 V |
Type de montage: |
À travers le trou |
le paquet: |
Le sac |
Série: |
- |
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
500 μA @ 15 V |
Mfr: |
NTE Electronics, Inc |
Tension - identification de la coupure (VGS) @: |
6.5 V @ 1 nA |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur: |
TO-106 |
Emballage / boîtier: |
TO-106-3 à dôme |
Température de fonctionnement: |
-55°C à 150°C (TJ) |
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds: |
- |
Puissance maximale: |
300mW |
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): |
25 V |