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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
3-VTFP
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
200 mV @ 1 μA
Drain actuel (identification) - maximum:
1 MA
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Puissance maximale:
100 mW
Emballage / boîtier:
3-SMD, avance plate
Numéro du produit de base:
TF202
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Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
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Le paquet:
Tape et bobine (TR)
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-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Emballage / boîtier:
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Numéro du produit de base:
TF202
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JFET N-Channel 1 mA 100 mW Monture de surface 3-VTFP

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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