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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
800 mV @ 4 nA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-92-3
Emballage / boîtier:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) a formé des avances
Température de fonctionnement:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage.
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Numéro du produit de base:
Le TIS75
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
30 V
Type de montage:
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Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
Mfr:
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Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de freinage de freinage.
Puissance maximale:
350 mW
Résistance - le RDS (dessus):
60 Ohms
Numéro du produit de base:
Le TIS75
Les données sont fournies par le TIS75_D26Z
JFET N-Channel 30 V 350 mW à travers le trou TO-92-3

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.

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