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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Le volume
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Pour les véhicules à moteur électrique
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
2.5 V @ 1 nA
Puissance maximale:
300mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-50 °C à 150 °C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
4pF @ 15V
Emballage / boîtier:
Pour les déchets de métaux, les déchets de métaux doivent être déposés dans un récipient.
Numéro du produit de base:
2N4416
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Tension - panne (V (BR) GSS):
35 V
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
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Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
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4pF @ 15V
Emballage / boîtier:
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Numéro du produit de base:
2N4416
Pour les appareils à commande numérique
JFET N-Channel 35 V 300 mW à travers le trou TO-206AF (TO-72)

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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