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Description de produit
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Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
140,5 mA @ 5 V
Mfr:
Uniseme
Tension - identification de la coupure (VGS) @:
600 mV @ 100 μA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
3-SPA
Drain actuel (identification) - maximum:
50 mA
Température de fonctionnement:
125°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
10pF @ 5V
Puissance maximale:
300mW
Emballage / boîtier:
Le SC-72
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
15 V
Numéro du produit de base:
2SK715
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les JFET
Type de FET:
N-canal
statut du produit:
Dépassé
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Actuel - drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):
140,5 mA @ 5 V
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10pF @ 5V
Puissance maximale:
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Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
15 V
Numéro du produit de base:
2SK715
Le nombre de points de contact doit être le même que le nombre de points de contact.
JFET N-Channel 50 mA 300 mW à travers le trou 3-SPA

Tags:

Transistor de triode de diode d'IRFP90N20D,

Transistor de triode de diode par le support de trou,

transistor de triode de diode de 200V 50A

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